商品名称:IXTH24N50L
数据手册:IXTH24N50L.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封装:TO-247-3
货期:全新原装
库存数量:5000 件
IXTH24N50L 是N通道增强模式功率MOSFET,设计用于线性操作,采用国际标准封装。该线性功率MOSFET具有扩展FBSOA,具有氮化铝隔离的miniBLOC,高功率密度,节省空间且易于安装的封装,以及符合UL94 V-0可燃性分类的成型环氧树脂。
该MOSFET可用于可编程负载,电流调节器,DC-DC转换器,电池充电器,DC斩波器以及温度和照明控制等应用。
规格
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):500 V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):24 A (Tc)
驱动电压:20V
不同 Id,Vgs时的 Rds On:300毫欧 @ 500mA、20V
不同Id时的Vgs(th):5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg):160 nC @ 20 V
Vgs (最大值):±30V
不同Vds时的输入电容(Ciss):2500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率:400W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247 (IXTH)
供应商器件封装:TO-247-3
基本产品编号:IXTH24
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封装,适用于高功率整流、工业电源、电机驱动等应用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N沟道功率MOSFET,属于 HiPerFET™ Polar3™ 系列,专为高功率开关应用设计。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1绝缘栅双极晶体管(IGBT) 提供高达150 kHz的开关能力,电流范围为66A。高开关速度和低传导损耗的结合为电源设计人员提供了一种新的高价值开关应用选择。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于10-30kHz的开关应用。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A电流 - 集电极脉冲 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。其特点和技术规格如下:特点经过优化用于低开关损耗正热系数VCE(sat)国际标准封装大电流处理能力功率密度大栅极驱动要求低反向并联sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V沟槽式XPT™绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。该产品具有以下主要规格:IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):112 A电…电话咨询:86-755-83294757
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