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STW65N045M9-4是一款650 V，39 mOhm典型值，54 A单N沟道MDmesh M9功率MOSFET，采用4引脚TO-247封装。

说明：

该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

STW65N045M9-4的规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 28A， 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4610 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：312W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4

封装/外壳：TO-247-4

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