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IQE008N03LM5CGSC是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™ 5 系列。该器件具有极低的导通电阻和出色的热性能，适用于多种高性能开关电源（SMPS）、电机驱动、服务器和通信设备。

IQE008N03LM5CGSC核心特性

极低导通电阻：在 VGS = 4.5V 时，最大导通电阻（RDS(on)）仅为 0.85 mΩ。

高雪崩能力：100% 雪崩测试，确保在过载条件下也能可靠工作。

卓越的热性能：优化的热阻设计，提高系统效率和可靠性。

逻辑电平兼容：N 通道，逻辑电平驱动，易于与现有电路集成。

环保特性：无铅镀层，符合 RoHS 标准，且无卤素。

IQE008N03LM5CGSC 规格参数

漏源极电压（VDS）：最大 30V

漏极电流（ID）：最大 252A

导通电阻（RDS(on)）：在 VGS = 10V 时，最大 0.85 mΩ

栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2V 至 2.0V

栅极电荷（QG）：30 nC（0V 至 4.5V）

输出电容（Coss）：1100 pF 至 1400 pF

输入电容（Ciss）：4400 pF 至 5700 pF

封装类型：PG-WHTFN-9

IQE008N03LM5CGSC 应用领域

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器。

电机驱动：适用于工业自动化和电动汽车。

服务器和通信设备：提供高效率和高可靠性。

电池管理系统：在电池管理系统中用于高效的充电和放电控制。

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