BSC015NE2LS5I 是一款 N沟道增强型功率MOSFET，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8-6） 封装，属于 OptiMOS™ 5 系列。该器件具有 低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度 和 优异的散热性能，适用于高效率电源管理、电机驱动、电池管理系统等应用。
BSC015NE2LS5I 关键特性
低导通电阻：1.5mΩ @ 10V VGS（最大值 2.5mΩ），显著降低功率损耗。
高电流能力：连续漏极电流（ID）：33A（Ta） / 100A（Tc）。
峰值电流（IDRM）：147A（部分供应商标注）。
快速开关性能：低栅极电荷（Qg）：10.5nC（典型值），减少开关损耗。
工作温度范围：-55°C ~ +150°C（TJ）。
最大功耗：2.5W（Ta） / 50W（Tc）。
紧凑封装：TDSON-8-6（PG-TDSON-8） 表面贴装封装，适合高密度PCB设计。
BSC015NE2LS5I 典型应用
电源管理：DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、POL（负载点）稳压器。
电机驱动：伺服电机、无刷直流电机（BLDC）控制。
电池管理系统（BMS）：电池保护电路、充放电控制。
通信与计算设备：服务器电源、CPU/GPU VRM（电压调节模块）。
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
30000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8-5
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IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 40V 系列，采用 TO-263-7（DPak）封装。电话咨询：86-755-83294757
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