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BSC050NE2LS 是 N沟道增强型功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 5 系列。该器件采用 PG-TDSON-8 封装，具有 超低导通电阻（RDS(on)） 和 高电流承载能力，适用于高效率电源管理、电机驱动、服务器VRM（电压调节模块）等应用。

BSC050NE2LS 的特性

低导通电阻：4.2mΩ @ 10V VGS（最大值 5mΩ @ 30A），显著降低功率损耗。

连续漏极电流（ID）：39A（Ta） / 58A（Tc）。

峰值脉冲电流（IDRM）：232A（短时脉冲）。

低栅极电荷（Qg）：10.4nC @ 10V，减少开关损耗。

上升时间 2.2ns，下降时间 2ns，适合高频应用。

工作温度范围：-55°C ~ +150°C（TJ）。

符合AEC-Q101汽车级认证，适用于严苛环境。

紧凑封装：PG-TDSON-8（5×6mm） 表面贴装封装，适合高密度PCB设计。

BSC050NE2LS 规格参数

品牌：Infineon（英飞凌）

封装：PG-TDSON-8（5×6mm）

通道类型：N沟道增强型

漏源电压（VDS）： 25V

连续漏极电流（ID）： 39A（Ta） / 58A（Tc）

导通电阻（RDS(on)） ：4.2mΩ @ 10V（典型值），5mΩ @ 10V（最大值）

栅极电荷（Qg）： 10.4nC @ 10V

输入电容（Ciss）： 760pF @ 12V

栅源电压（VGS）： ±20V（最大）

阈值电压（VGS(th)）： 2V @ 250µA

最大功率耗散（PD）： 2.5W（Ta） / 28W（Tc）

开关时间：上升时间 2.2ns，下降时间 2ns

工作温度范围： -55°C ~ +150°C（TJ）

符合标准：RoHS、无铅、AEC-Q101（汽车级）

包装方式：卷带（Tape & Reel）

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