AIMZHN120R060M1T - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：AIMZHN120R060M1T

商品名称：N 沟道 MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：PG-TO247-4

货期：全新原装

库存数量：1000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

INFINEON

型号

AIMZHN120R060M1T

封装

PG-TO247-4

描述

通孔 N 通道 1200 V 38A（Tc） 197W（Tc） PG-TO247-4-14

产品描述

AIMZHN120R060M1T凭借英飞凌的性能优化芯片技术（Gen1p），SiC Mosfet 具有同类最佳的开关性能、对寄生开通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、双向充电能力和显著降低的系统成本，使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。

产品属性

FET 类型：N 通道

技术：SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）：1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：38A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：75 毫欧 @ 13A，20V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 4.3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：880 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：197W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q101

安装类型：通孔

供应商器件封装：PG-TO247-4-14

封装/外壳：TO-247-4

应用

板载充电器

直流/直流转换器

辅助驱动器

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
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答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。