SPA16N50C3 500V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品，C3 是产品组合中的主力军。
规格
制造商： Infineon Technologies
系列：CoolMOS™
包装： 管件
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 280 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V @ 675µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）： 34W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： PG-TO220-3-31
封装/外壳： TO-220-3 整包
优势
高效率，高功率密度
超高成本/性能比
高可靠性
使用方便
潜在应用
服务器
通信
消费品
计算机电源
适配器
型号
品牌
封装
数量
描述
INFINEON
PG-TDSON-8
30000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 39A（Ta），58A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8-5
INFINEON
PG-TDSON-8
20000
N 通道 功率 MOSFET 25 V 33A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8-6
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IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-50A 是一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻、高电流能力和出色的热性能，适用于汽车级应用。
IPP77N06S2-12
IPP77N06S2-12 是一款由英飞凌生产的 55V N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻和高电流能力，适用于汽车级应用，符合 AEC-Q101 标准。
ISC007N04NM6
ISC007N04NM6 是N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 6 系列，采用 PG-TDSON-8 FL 封装。
IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A是一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 系列，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8）封装。
IPB180N04S4L-H0
IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 40V 系列，采用 TO-263-7（DPak）封装。电话咨询：86-755-83294757
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